دانلود پروژه اینیدم قلع اکسید ITO،
در قالب word و در 106 صفحه، قابل
ویرایش.
بخشی از متن اصلی:
در فصل اول قبل از هرچیز لازم است که ITO و ویژگی های آن معرفی شود. بنابراین در
ابتدای این فصل ITO معرفی شده و خواص و ویژگی های آن مورد
بررسی قرار گرفته است. در این بخش خواص فیزیکی، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک
ITO به طور کامل آورده شده است.
در بخش دوم این فصل، روش های لایه نشانی متداول برای لایه نشانی ITO آورده شده است و سعی شده تا حد امکان،
توضیحاتی برای هر کدام از روش ها داده شود.
روش لایه نشانی مورد استفاده در این پروژه، یعنی کندوپاش، به طور
کامل در فصل چهارم توضیح داده شده است. در بررسی روش های لایه نشانی، سعی شده است
که مزایا و محدودیت های هر کدام توضیح داده شود.
در قسمت پایانی این فصل نیز به بررسی تماس نیمه هادی به
ITO پرداخته شده و
با استفاده از تحلیل دیاگرام باند انرژی تماسMS ، ویژگی های ماس ITO به نیمه هادی تحلیل شده است.
In2O3:Sn ، که اینیدم قلع
اکسید یا به اختصار (ITO) نامیده
می شود، یک نیمه هادی دژنره نوع n است. این ماده که یکی از معروف ترین
اکسیدهای رسانای شفاف (TCO) است،
دارای گپ پهن و باند ممنوعه اپتیکی مستقیم است.
اصلی ترین ویژگیITO، رسانایی آن در عین شفافیت آن است. ITO، نور مرئی را از
خود عبور می دهد، اما در مقابل نور مادون قرمز از خود خاصیت بازتابی نشان می دهد.
همین ویژگی است که ITO را به عنوان یک اکسید رسانای شفاف برای
کاربرهای گوناگون الکترونیکی مناسب می سازد.
گرچه رسانایی در عین شفافیت ویژگی اصلی ITO به شمار می رود، اما ویژگی های مهم دیگری
نیز وجود دارند که ITO را تبدیل به یک ماده خاص می کند. این
ویژگی ها عبارت اند از: مقاومت ورقه ای کم، لایه گذاری آسان، استحکام حرارتی بدون
تغییر در مقاومت ورقه ای، ایستادگی شیمیایی و …
این فایل به همراه چکیده، فهرست، متن اصلی و منابع با فرمت doc (قابل
ویرایش) در اختیار شما قرار می گیرد.
